根据《中国地质大学(武汉)科技成果转化管理办法(修订)》(地大校办发〔2022〕16号)相关规定，现将国家发明专利“用于MEMS谐振器的低应力封装结构”专利转让情况进行公示。具体情况如下：
1. 专利名称：用于MEMS谐振器的低应力封装结构
专利号：ZL202311089212.7
成果完成人：涂鑫、邵金涛
简介：本发明涉及传感器芯片领域，尤其是涉及一种适用于MEMS谐振器的低应力封装结构，包括MEMS芯片、隔离层、粘接结构和ASIC芯片，MEMS芯片包含封盖层、结构层、上下锚点层与衬底层，封盖层与衬底层键合并形成一个空腔，用于放置结构层，结构层通过上下锚点层与封盖层、衬底层连接，下锚点层之间有弹簧结构，用于释放衬底的应力，衬底层上表面有多个波浪纹结构与深槽，用于吸收应力与隔离应力，与衬底层下连接的隔离层有一凹槽，凹槽表面有波浪纹结构，用于隔离与吸收应力，隔离层与ASIC芯片之间通过粘接结构粘接，该结构通过多级应力隔离与应力释放结构，极大的减小了粘接结构与MEMS芯片之间因热膨胀系数失配而产生的热应力，提高器件的性能。
受让方：湖北省汇霖技术有限公司
转让金额：人民币：7.5万元 (大写：人民币 柒万伍仟元整)
对以上结果有异议者，请在公示时间内实名书面向知识产权与技术转移中心反映。
公示时间：2025年6月18日至2025年7月2日
